工研院攜手產學界 發表頂尖磁性記憶體技術

工研院攜手產學界 發表頂尖磁性記憶體技術

經濟部技術處指出,製程微縮是在半導體先進製程的重要趨勢,在此趨勢下,磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)具有可微縮至22奈米以下的潛力,而且擁有高讀寫速度、低耗電,斷電後仍可保持資料的特性,特別適用於嵌入式記憶體的新興領域。

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工研院電子與光電系統所所長張世傑表示,MRAM有媲美靜態隨機存取記憶體(Static Random Access Memory;SRAM)的寫入、讀取速度,兼具快閃記憶體非揮發性,近年來已成爲半導體先進製程、下世代記憶體與運算的新星。記憶體若在高寫入速度的前提下,使用的電壓電流越小,則代表效率越高。工研院攜手臺積電共同發表具備高寫入效率與低寫入電壓SOT-MRAM技術,並達成0.4奈秒高速寫入、7兆次讀寫之高耐受度,還有超過10年資料儲存能力等特性的技,未來可整合成先進製程嵌入式記憶體,在人工智慧、車用電子、高效能運算晶片等領域具有極佳的前景。

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另外,工研院與長期密切合作的國立陽明交通大學,今年也在VLSI共同發表新興磁性記憶體的高效能運作技術,優化自旋轉移矩磁性記憶體(Spin-Transfer-Torque MRAM;STT-MRAM)的多層膜與元件,提高寫入速度、縮短延遲、降低寫入電流與增高使用次數等特色,在127度到零下269度範圍內,具有穩定且高效能的資料存取能力,工作溫度橫跨近400度的多功能磁性記憶體是首次被實驗驗證,未來在量子電腦、航太領域等前瞻應用與產業上潛力強大。

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